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onsemi FDP18N50
| Artikelnummer: | FDP18N50 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.84 |
| 10+ | $2.549 |
| 100+ | $2.0885 |
| 500+ | $1.7779 |
| 1000+ | $1.4994 |
| 2000+ | $1.4245 |
| 5000+ | $1.3709 |
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onsemi FDP18N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDP18N50.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie UniFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 265mOhm @ 9A, 10V Verlustleistung (max) 235W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) Grundproduktnummer FDP18 FDP18N50 Einzelheiten PDF [English] FDP18N50 PDF - EN.pdf -
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